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学术报告
Academy of Mathematics and Systems Science, CAS
Colloquia & Seminars
Speaker:
卢朓 副教授, 北京大学
Inviter:
郑伟英 研究员
Title:
基于多子带Boltzmann方程直接解法的半导体器件数值模拟
Time & Venue:
2018.11.21 16:00-17:00 N702
Abstract:
半导体器件已经进入了纳米时代,数值模拟在新型器件的设计中起着越来越重要的作用。我将介绍我们开发的基于多子带Botlzmann方程直接解法的器件模拟平台。该平台不仅适用用硅半导体材料,还适用于III-V族化合物材料,能够研究散射机制、晶向变化和沟道长度等对载流子输运特性的影响。 基于该平台,我们还提出了一套校准漂移扩散模型的方法,大幅提升了商用模拟软件中漂移扩散模型对纳米尺度III-V族半导体期间特性模拟的准确度。 然后,我介绍一下散射算子的保结构离散,也就是使离散所得的散射矩阵具有下面的性质:0是散射矩阵的特征值,而且代数重数是1,其它的特征值的实部都小于0,而且0特征值具有一个分量全部为正的特征向量。我们矩阵不是非负矩阵,但是所得的结果和优美深刻的Perron-Frobenius 定理类似。在这次报告中,我将简单讨论二者的区别和联系。
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